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(2012•葫芦岛模拟)如图所示,一个质量为m=2.0×10-11kg,电荷量q=+1.0×10-5C的带电微粒(重力忽略不计),从静止开始经U1=100V电场加速后,水平进入两平行金属板间的偏转电场,偏转电场的
题目详情
(2012•葫芦岛模拟)如图所示,一个质量为m=2.0×10-11kg,电荷量q=+1.0×10-5C的带电微粒(重力忽略不计),从静止开始经U1=100V电场加速后,水平进入两平行金属板间的偏转电场,偏转电场的电压U2=50V.金属板长L=20cm,两板间距d=5
cm.求:
(1)微粒进入偏转电场时的速度v0大小;
(2)微粒射出偏转电场时的偏转角θ;
(3)若该匀强磁场的宽度D=10cm,为使微粒不会从磁场右边射出,则该匀强磁场的磁感应强度B至少多大?
3 |
(1)微粒进入偏转电场时的速度v0大小;
(2)微粒射出偏转电场时的偏转角θ;
(3)若该匀强磁场的宽度D=10cm,为使微粒不会从磁场右边射出,则该匀强磁场的磁感应强度B至少多大?
▼优质解答
答案和解析
(1)粒子在加速电场中运动过程,由动能定理,得
qU1=
m
解得,v0=
=1×104m/s
(2)粒子在偏转电场中做类平抛运动,则有
加速度a=
t=
,vy=at
则tanθ=
将上述各式代入得到tanθ=
=
θ=30°
(3)粒子进入磁场后做匀速圆周运动,速度大小为v=
画出轨迹如图,根据几何知识,得D=r+rsinθ
r=
又由qvB=m
解得B=
代入数据解得,B=0.346T
答:(1)微粒进入偏转电场时的速度v0大小1×104m/s;
(2)微粒射出偏转电场时的偏转角θ=30°;
(3)为使微粒不会从磁场右边射出,该匀强磁场的磁感应强度B至少为0.346T.
(1)粒子在加速电场中运动过程,由动能定理,得
qU1=
1 |
2 |
v | 2 0 |
解得,v0=
|
(2)粒子在偏转电场中做类平抛运动,则有
加速度a=
qU2 |
md |
t=
L |
v0 |
则tanθ=
vy |
v0 |
将上述各式代入得到tanθ=
U2L |
2U1d |
| ||
3 |
θ=30°
(3)粒子进入磁场后做匀速圆周运动,速度大小为v=
v0 |
cosθ |
画出轨迹如图,根据几何知识,得D=r+rsinθ
r=
D |
1+sinθ |
又由qvB=m
v2 |
r |
解得B=
mv0(1+sinθ) |
qDcosθ |
代入数据解得,B=0.346T
答:(1)微粒进入偏转电场时的速度v0大小1×104m/s;
(2)微粒射出偏转电场时的偏转角θ=30°;
(3)为使微粒不会从磁场右边射出,该匀强磁场的磁感应强度B至少为0.346T.
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