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下列有关静电现象说法正确的是（）A．野外高压输电的三条输电线上方设置两条导线，这两条导线不能与大地相连接B．高压设备中导体表面应该尽量光滑，是为了避免电能的损失C．一其他

是为了防止尖端放电

P1和P2是材料相同、上下表面为正方形的长方体导体，P1的上下表面积大于P2的上下表面积，将P1和P2按图中所示接到电源上，闭合开关后，下列说法正确的是（）A.若P1和P2的体积相同，则物理

等于P2的电功率C. 若P

如图所示．将截面厚度为h、宽度为d的通电金属导体放入磁场，当磁场方向与电流方向垂直时．在导体上下表面会产生电势差，这种现象称为霍尔效应．下列说法正确的是（）A.上表面物理

增大d时，上下表面的电势差减

导体接地后,以下说法正确的是1导体上的电荷为02导体表面上的场强为03导体的电势为04若为空腔型导体,则外表面上无电荷分布物理

氮化硅膜与二氧化硅膜相比较具有表面化学性能稳定等优点，故氮化硅膜可用于半导体工业。为生成氮化硅膜，可以用NH3和SiH4（硅烷）在一定条件下反应并在600℃的加热基板上生成氮化学

为原料制备硅烷的反应和工业流

1.设想有一高位H,上下底面积为S的长方体浸没在rou水的液体中,该长方体上表面在液体中的深度为h1下表面在液体的深度为h2,该长方体上、下表面受到液体的压强可用公式P=rough来计算,推导出物理

0℃,比热容为400J/（K

氮化硅膜与二氧化硅膜相比较具有表面化学性能稳定等优点，故氮化硅膜可用于半导体工业．为生成氮化硅膜，可以用NH3和SiH4（硅烷）在一定条件下反应并在600℃的加热基板上生成氮化硅膜化学

条件

圆台体积公式推导中有一步没懂.答案说圆台体积公式为v=(1/3)H[S'+√(SS')+S](√为根号,表示开平方.)证明:将上底面积为S',下底面积为S,高为H的园台的母线延长,得一顶点为P的完整的园锥P-S,设数学

(H+X)S-(1/3)*X

如图所示装置，“×”表示垂直于纸面向里的磁场的磁感线；在弹簧测力计下挂一个重为G的软铁块，软铁块下方有一螺线管，螺线管两端导线与金属导轨ab、cd相连，导体棒ef平放在导轨上，物理

两个物理现象是：（1）__

静电平衡下的导体的静电荷只能分布在导体的外表面上,为什么呢,要如何理解? 物理

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