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（2011•通州区一模）已知椭圆C：x2a2+y2b2＝1(a＞b＞0)的离心率为e＝12，右焦点为F（1，0）．（I）求椭圆C的方程；（II）求经过点A（4，0）且与椭圆C相切的直线方程；（III）设P为椭圆C上一动其他

程．

请问氦姆霍滋定律怎么推导出来的氦氏定律：任何场都可表示为散度场与旋度场的叠加.另外,我还想从微分方面找解释,向量A=P（xyz）i+Q（xyz）j+R（xyz）k可不可以把dA用其旋度和散度表示.我数学

+Rzdzk+Pydyi+P

几个大学电磁学填空题,第一题真空中两根很长的相距为2a的平行直导线与电源组成闭合回路.如图,已知导线中的电流强度为I,则在两导线正中间某点p处的磁能密度为：第二题,如图所示, 物理

_____第三题,如图的交流

如图a所示的电路中，电源电压保持不变，闭合开关S后，滑动变阻器的滑片P由a端移动到b端时，测得电阻R两端的电压U与通过电阻R的电流I的变化关系如图b所示．求：（1）电源的电压．（2）物理

端移动到b端的过程中，电阻R

下列关于IP地址的叙述中,错误的是A.p地址由网络地址与主机地址两部分组成B.根据不同的取值范围,I

下列关于IP地址的叙述中，错误的是A．p地址由网络地址与主机地址两部分组成B．根据不同的取值范围，IP地址可以分为5类C．B类p地址其网络地址空间长度为16位，主机地址空间长度为14位D．C类p地址范围从192.0.0.0～233.255.255.255

p=i=ft科学惯性与动量中的物理

局部总线是解决I／O瓶颈的一项技术。下列叙述中正确的是()。A.PCI总线与VESA总线进行了激烈的竞争,P

局部总线是解决I/O瓶颈的一项技术。下列叙述中正确的是( )。A．PCI总线与VESA总线进行了激烈的竞争，PCI取得明显优势B．PCI总线与VESA总线进行了激烈的竞争，VESA取得明显优势C．PCI总线与EISA总线进行了激烈的竞争，EISA取得明显优势D．PCI总线与EISA总线进行了激烈的

进程P通过缓冲区K不断向n个进程Qi(1≤i≤n)发送消息,消息大小与缓冲区K一样。为了使每个接收进程都

进程P通过缓冲区K不断向n个进程Qi(1≤i≤n)发送消息，消息大小与缓冲区K一样。为了使每个接收进程都应该接收到与发送次序一样的消息序列，需要配置(23)。A．2个信号量，初值分别为1，0B．2个信号量，初值分别为1，n，C．3个信号量，初值分别为1，0，0D．3个信号量，初值分别为1，1，0

纯电阻电路填空题求解在纯电阻电路中,已知端电压u=311sin（314t+30°）V.其中R=1000Ω1.那么电流i=?2.电压与电流的相位差?3.电阻上消耗的功率P=?W 物理

霍尔效应是电磁基本现象之一，在现代汽车上广泛应用霍尔器件：ABS系统中的速度传感器、汽车速度表等．如图1，在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M 其他

霍尔系数，由半导体材料的性质

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