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下列说法不正确的是（）A.CO2、SiO2的晶体结构类型不同B.加热硅、硫晶体使之熔化，克服的作用力不同C.HCl、NaCl溶于水，破坏的化学健类型相同D.NaOH、NH4Cl晶体中既有离子键又有共化学

下列说法不正确的是（）A.CO2、SiO2的晶体结构类型不同B.加热硅、硫晶体使之熔化，克服的作用力不同C.HF比HCl稳定是因为HF间存在氢键D.NaOH、NH4Cl晶体中既有离子键又有共价键化学

由于工作需要把一个50寸的钢桶蹲在煤气炉上加热,煤气炉火源小老是加热桶底中间部分,用没几天就烧穿,不知道能不能涂导热硅脂来解决受热不均的问题,热硅脂能接触火吗?或者有其他办法解其他

英语翻译土壤中的有机物先用硝酸和高氯酸加热氧化,然后用氢氟酸分解硅酸盐等矿物,硅与氟形成四氟化硅逸去,继续加热至剩余的酸被赶尽,使矿物质元素变成金属氧化物或盐类.用盐酸溶液其他

和钠离子的浓度,再换算为土壤

硅胶高温的时候有毒或毒气散发出来吗?我要把硅胶板长时间加热,加热的硅胶板会不会产生毒性或者有毒气散发出来,知道的朋友请告诉一下, 化学

六硅酸镁可表示为aMgO•6SiO2•bH2O．确定六硅酸镁组成的方法是：取10.6g六硅酸镁，充分加热失水后，得固体8.8g；另取相同质量的六硅酸镁加入足量盐酸，充分反应后，经处理得SiO2固体7.2g，化学

D. b=7

氮化硅膜与二氧化硅膜相比较具有表面化学性能稳定等优点，故氮化硅膜可用于半导体工业．为生成氮化硅膜，可以用NH3和SiH4（硅烷）在一定条件下反应并在600℃的加热基板上生成氮化硅膜化学

条件

（2014•贵阳模拟）科学家研究出了制作单层硅分子薄膜的技术．如图所示，在硅板表面覆盖陶瓷薄层，对硅板持续加热一段时间后，硅板中的硅分子就能穿过陶瓷薄层，在其上端形成单层硅物理

间存在着空隙D．硅分子只有在

从硅的氧化物可以制取硅单质，主要化学反应如下：粗硅的制取：SiO2（石英砂）+2C（焦炭）高温.电炉Si（粗）+2CO↑由粗硅制取纯硅（常用方法）：Si（粗）+2Cl2加热.SiCl4SiCl4+2H2高温.Si 化学

题．（1）在制取粗硅的反应中

氮化硅膜与二氧化硅膜相比较具有表面化学性能稳定等优点，故氮化硅膜可用于半导体工业。为生成氮化硅膜，可以用NH3和SiH4（硅烷）在一定条件下反应并在600℃的加热基板上生成氮化学

为原料制备硅烷的反应和工业流

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