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一个小球从离3面高度H=9m处的A点，以水平速度v0=6m/图水平抛出，不计空气阻力g取h0m/图的．求：（h）小球从抛出到落3所用的时间．（的）小球从抛出起经0.l图时的速度大小和方向．其他

半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，其电阻受温度影响较大，如图甲是某半导体材料的电阻随温度变化的关系图象．根据这种半导体材料电阻的特性，小明和他的同学设计了一个其他

定值电阻R0（10Ω）、导线

半导体材判的导电能力介于导体和绝缘体之间．其电阻受温度影响较大．如图甲是某种半导体材料的电阻随温度变化的关系图象．根据这种半导体材料电阻的特性，小星和他的同学设计了一物理

关、定值电阻R0（10Ω）、

半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，其电阻受温度影响较大。如图甲是某种半导体材料的电阻随温度变化的关系图像。根据这种半导体材料电阻的特性，小明和他的同学设计了物理

环境温度为20℃时，电流表的

半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间．其电阻受温度影响较大．如图甲是某种半导体材料的电阻随温度变化的关系图象．根据这种半导体材料电阻的特性，小星和他的同学设计了一其他

流表（0～0.6A）、开关，

半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，其电阻受温度影响较大．如图甲是某种半导体材料的电阻随温度变化的关系图象，根据这种半导体材料电阻的特性，小明和他的同学设计了一物理

定值电阻R0（10Ω）、导线

半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，其电阻受温度影响较大．如图甲所示是某种半导体材料的电阻随温度变化的关系图象．根据这种半导体材料电阻的特性，小明和他的同学设计物理

开关、定值电阻R0（10Ω）

半导体材判的导电能力介于导体和绝缘体之间。其电阻受温度影响较大．如图甲是某种半导体材料的电阻随温度变化的关系图像。根据这种半导体材料电阻的特性，小星和他的同学设计了物理

值电阻R 0 （10Ω）、导

半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，其电阻受温度影响较大，如图甲所示是某种半导体材料的电阻随温度变化的关系图象。根据这种半导体材料电阻的特性，某物理兴趣小组的同学设物理

，电流表的示数为0.2A，电

（2011•盘锦）半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，其电阻受温度影响较大，如图甲所示是某种半导体材料的电阻随温度变化的关系图象．根据这种半导体材料电阻的特性，某物理兴趣物理

变．（1）当环境温度为20℃

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