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如图（A）所示，固定于水平桌面上的金属架cdef，处在一竖直向下的匀强磁场中，磁感强度的大小为B0，金属棒ab搁在框架上，可无摩擦地滑动，此时adeb构成一个边长为l的正方形，金属棒的其他

为k（k=△B△t）．求：（

如图所示，固定于水平面上的金属架CDEF处在竖直向下的匀强磁场中，垂直放置的金属棒MN沿框架以速度v向右做匀速运动．t=0时，磁感应强度为B0，此时MN到达的位置使MDEN构成一个边长为l的正物理

为使金属棒MN中不产生感应电

(14分)如图12所示，固定于水平面上的金属架CDEF处在竖直向下的匀强磁场中，金属棒MN沿框架以速度v向右做匀速运动．t＝0时，磁感应强度为B0，此时MN到达的位置使MDEN构成一个边长为l的物理

间t变化？请推导出这种情况下

如图所示，固定在水平桌面上的金属框架cdef，处在竖直向下的匀强磁场中，金属棒ab搁在框架上，可无摩擦滑动，此时adeb构成一个边长为L的正方形，开始时磁感应强度为B0．若从t=0时刻起，物理

应强度应怎样随时间变化（写出

如图所示，固定在水平桌面上的光滑金属框架cdef处于竖直向下磁感应强度为B0的匀强磁场中.金属杆ab与金属框架接触良好.此时abed构成一个边长为l的正方形，金属杆的电阻为r，其余部物理

水平拉力保持金属杆静止不动，

如图所示，固定于水平面上的金属架CDEF处在竖直向下的匀强磁场中，金属棒MN沿框架以速度v向右做匀速运动．t=0时，磁感应强度为B0，此时MN到达的位置使MDEN构成一个边长为l的正方形．为使物理

这种情况下B与t的关系式．

(10分)如图所示，固定于水平面上的金属架CDEF处在竖直向下的匀强磁场中，金属棒MN沿框架以速度v向右做匀速运动．t＝0时，磁感应强度为B0，此时MN到达的位置使MDEN构成一个边长为l的物理

变化？请推导出这种情况下B与

如图所示，固定于水平面上的金属架abcd处在竖直向下的匀强磁场中，金属棒MN沿框架以速度v向右做匀速运动．t=0时，磁感应强度为B0，此时MN到达的位置恰好使MbcN构成一个边长为l的正方形．物理

　　）A．B．C．D．

如图是各种细胞亚显微结构模式图，请据图回答问题：（1）1972年桑格和尼克森在对此结构的研究中提出了模型．图甲中以磷脂双分子层作为基本支架的结构有（填序号）．（2）如语文

序号）．（3）图甲和图丙的根

如图所示，固定于水平桌面上的金属框架cdef，处在竖直向下的匀强磁场中，金属棒ab搁在框架上，可在框架上无摩擦滑动，此时adeb构成一个边长为L的正方形，棒的电阻为r，ed间的电阻阻值物理

B△t=k，同时保持ab棒静

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