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如图所示，固定于水平面上的金属框架CDEF处在竖直向下的匀强磁场中．t=0时，磁感应强度为B0，此时金属棒MN的位置恰好使MDEN构成一个边长为l的正方形．已知金属棒MN的电阻为r，金属框架DE 物理

乙所示的规律变化，求回路中的

两个完全相同的通电圆环A、B圆心O重合、圆面相互垂直的放置，通电电流相同，电流方向如图所示，设每个圆环在其圆心O处独立产生的磁感应强度为B0，则O处物理

如图所示，在磁感应强度大小为B0的匀强磁场中，固定有一面积为S、电阻为R的单匝闭合金属线圈，其平面与磁场方向．从t=0时刻起，磁感应强度的大小发生变化，但方向不变．在t=0～t=t1这其他

t=t1这段时间内，线圈中感

如图所示，在磁感应强度大小为B0的匀强磁场中，固定有一面积为S、电阻为R的单匝闭合金属线圈，其平面与磁场方向．从t=0时刻起，磁感应强度的大小发生变化，但方向不变．在t=0～t 物理

．在t=0～t=t 1 这段

霍尔式位移传感器的测量原理是：如图所示，有一个沿z轴方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz（B0、k均为常数）．将传感器固定在霍尔元件上，沿z轴方向元件的厚度为d，保持通过霍尔元件的电流物理

上的上、下表面的电势差U也不

一有界匀强磁场区域如图（甲）所示，abcd是一个质量为m、电阻为R、边长为L、匝数为N的正方形线圈．线圈一半在磁场内，一半在磁场外．t=0时刻磁场磁感应强度由B0开始均匀减小，线圈在磁物理

出，不考虑重力影响．则磁场磁

霍尔式位移传感器的测量原理是：如图所示，有一个沿z轴方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz（B0，k均为常数），将将传感器固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流不变（方向如图中箭头所示物理

（　　）A. 磁感应强度B越

（2011•南通二模）霍尔式位移传感器的测量原理是：如图所示，有一个沿z轴方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz（B0，k均为常数），将传感器固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变（方向物理

下表面的电势差U也不同．则（

霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴正方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz（B0、k均为常数且k为正数）．将霍尔元件固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变（方向如图所示物理

不同，则（　　）A. 磁感应

如图1所示，在x轴上方有垂直xoy平面向里的匀强磁场，磁感应强度为B1=B0，在x轴下方有交替分布的匀强电场和匀强磁场，匀强电场平行于y轴，匀强磁场B2=2B0垂直于xoy平面，图象如图2所示．一物理

从A点射入磁场，t=2t0时

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