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在硅中掺入P原子的N半导体,在成键的时候会剩余一个电子,这些电子会形成电流吗?即与硅结合成键时剩余的一个电子,不在导带也不在价带的电子,那这些剩余电子会形成电流吗?还是只有光照物理

硼在半导体工业中被大量用作半导体掺杂物，同时含硼化合物在杀虫剂、防腐剂及新型储氢材料的制造中也有重要的地位．请回答下列问题：（1）在第2周期的元素中，基态原子的第一电离化学

O、H三种元素）的球棍模型如

硅是重要的半导体材料，构成了现代电子工业的基础．回答下列问题：（1）基态Si原子中，电子占据的最高能层符号，该能层具有的原子轨道数为、电子数为．（2）硅主要以硅酸盐、化学

子之间以___相结合，其晶胞

某导体单位长度内电子数为n,电子定向移动速率为v,电子电荷量为e,导体横截面积,导体横截面积为S,则导体中的电流是多少给我个推导过程,我觉得我自己推导的有点问题注意是单位长度内电物理

考点1金属单质通性、特性及冶炼[知识梳理]一、金属的通性位置：金属元素位于周期表的,最外层电子数大部分少于大部分有延展性、金属光泽,都有导热导电性等；都与金属晶体结构中的化学

置三、钠、镁、铝、铁、铜单质

ITO薄膜中的载子流是In2O3提供In还是SnO2提供Sn?掺锡氧化铟（即IndiumTinOxide,简称ITO）材料是一种n型半导体材料,具有高的导电率、高的可见光透过率,In2O3里掺入Sn后,Sn元素可以代替In2O3晶格物理

形式存在,因为In2O3中的

将不带电的导体A和带有负电荷的导体B接触后,在导体A中的质子数[]A．增加B．减少C．不变D．先增加后减少物体带电一定具有多余的电子对不对?电荷中和是等量异种电荷完全相互抵消的现物理

一定条件下，如图所示装置可实现有机物的电化学储氢（忽略其他有机物），则下列叙述正确的是（）A.多孔性惰性电极E为电解池的阴极B.装置中气体C为氢气C.由A至D，导线中电子转化学

耗电是在消耗电量吗?不是电流吧?请问二楼为什么导体中（包括电源和用电器）的电子总数不会减少和增加？电子数与电量和电流有什么关系？电能被消耗了，为什么电流就变小了？请问三物理

场能量少了，电子运动变慢？速

如图所示是“探究电流通过导体产生热量的多少跟什么因素有关”的实验装置，将四段电阻丝a、b、c、d分别密封在完全相同的盒子内，盒内封闭一定量的空气，其中图乙中另取阻值为5Ω的物理

热量的多少是通过观察___来

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