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如图所示，初速度为零的电子经电压U1加速后，垂直进入偏转电场，离开电场时偏移量为y，偏转板间的距离为d，偏转电压为U2，板长为L，为了提高偏转灵敏度（每单位偏转电压引起的其他

使L小些D．尽可能使d小些

如图所示，初速度为零的电子经电压U1加速后，垂直进入偏转电场，离开电场时偏移量是Y，偏转板间的距离为d，偏转电压为U2，板长为L，为了提高偏转灵敏度（每单位偏转电压引起的偏移量物理

初速度为零的电子经电压U1加速后,垂直进入偏转电场偏转,离开电场时侧向位移是y.偏转板间距离为d,偏转电压为U2,板长为L.为了提高偏转灵敏度（每单位偏转电压引起的侧向位移）,可采用哪物理

A为什么不行?抱歉,没有图,

如图所示，一质量为m，电量为q的带电粒子从静止出发被电压为U的电场加速，然后垂直进入另一电场强度为E的匀强偏转电场，已知偏转电极长L，求电子离开偏转电场时的速度极其与起始速物理

α粒子（24He）和质子（11H）以相同速度垂直于电场线方向进入同一偏转电场，则在通过偏转电场的过程中（）A．它们在电场中的运动时间相等B．它们在电场中的偏转距物理

功相等

先后让一束电子和一束氢核通过同一对平行板形成的偏转电场,进入时速度方向与板面先后让一束电子和一束氢核通过同一平行板形成的偏转电场,进入时速度方向与板面平行,下列两种情况,分物理

相同好的+40

如图所示，初速为零的电子经电压U1加速后，垂直进入偏转电场偏转，离开偏转电场时侧向位移是y．偏转板间距离为d，偏转电压为U2，板长为L．若要使侧向位移y增为原来的2倍，可采用下列物理

变为2LD．只使偏转极板间距

质子和氦核（它们质量比为1：4，电荷量比为1：2）从静止开始经相同加速电压加速后，又垂直于电场方向进入同一偏转匀强电场，离开偏转电场时，它们侧向偏移量之比和在偏转电场中运动其他

质子和α粒子从静止开始经相同电压加速后，又垂直于电场方向进入同一匀强电场，离开偏转电场时，它们横向偏移量之比和在偏转电场中运动的时间之比分别为（）A.2：1，2：1B.1：1 物理

带电粒子在匀强电场中的运动质子和氮核从静止开始经相同电压加速后,又垂直于电场方向进入同一匀强电场,离开偏转电场时,求它们横向偏移量之比和在偏移电场中运动的时间之比. 物理

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