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（2013•淮安二模）如图所示，处于真空中的正方体存在着电荷量为+q或-q的点电荷，点电荷位置图中已标明，则a、b两点电场强度和电势均相同的图是（）A．B．C．D．物理

（2009•盐城模拟）如图所示，一个质量为m、带电荷量为+q的物体处于场强按E=kt规律（k为大于零的常数，取水平向左为正方向）变化的电场中，物体与绝缘竖直墙壁间的动摩擦因数为μ，当t= 物理

法正确的是（　　）A．物体开

（22ee•盐城y模）如图所示，在竖直平面内放置一长为地、内壁光滑的薄壁玻璃管，在玻璃管的a端放置一个直径比玻璃管直径略小的小球，小球带电荷量为-q、质量为4．玻璃管m边的空间存在物理

场强度大小为4g/q，场的左

（2004•连云港模拟）一种半导体材料称为“霍尔材料”，用它制成的元件称为“霍尔元件”，这种材料有可定向移动的电荷，称为“载流子”，每个载流子的电荷量大小为1元电荷，即q=1.6×1 物理

电梯中用来检测电梯门是否关闭

（2014•扬州模拟）如图所示为速度选择器装置，场强为E的匀强电场与磁感应强度为B的匀强磁场互相垂直．一带电量为+q，质量为m的粒子（不计重力）以速度v水平向右射入，粒子恰沿直线穿其他

电量为-2q，粒子仍能沿直线

（2013•常州模拟）如图所示，空间内存在水平向右的匀强电场，在虚线MN的右侧有垂直纸面向里、磁感应强度为B的匀强磁场，一质量为m、带电荷量为+q的小颗粒自A点由静止开始运动，刚好其他

速度不变，小颗粒运动至D处刚

（2013•开封一模）如图所示，一带电微粒质量为m=2.0×10-11kg、电荷量q=+1.0×10-5C，从静止开始经电压为U1=100V的电场加速后，水平进入两平行金属板间的偏转电场中，微粒射出电场时的偏转角θ 物理

磁场区域，微粒射出磁场时的偏

（2012•眉山模拟）如图所示，电荷量为Q1、Q2的两个正点电荷分别置于A点和B点，两点相距L．在以L为直径的光滑绝缘半圆环上，穿着一个带电小球+q（视为点电荷），在P点平衡，PA与AB的夹角物理

C．O点场强为零D．Q1＜Q

（2013•自贡模拟）如图所示，一带电微粒质量为m=2.0×10-11kg、电荷量q=+1.0×10-5C，从静止开始经电压为U1=100V的电场加速后，水平进入两平行金属板间的偏转电场中，微粒射出电场时的偏转角θ 物理

.6cm的匀强磁场区域．已知

（2013•成都三模）如图所示，在光滑绝缘水平面的P点正上方O点固定一电荷量为+Q的点电荷，如图，从平面上的N点，由静止释放质量为m，电荷量为-q的检验电荷，该检验电荷到P点的速度为v 其他

所受到的电场力的大小是在N点

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