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初速度为零的电子经电压U1加速后,垂直进入偏转电场偏转,离开电场时侧向位移是y.偏转板间距离为d,偏转电压为U2,板长为L.为了提高偏转灵敏度（每单位偏转电压引起的侧向位移）,可采用哪物理

A为什么不行?抱歉,没有图,

如图所示，初速为零的电子经电压U1加速后，垂直进入偏转电场偏转，离开偏转电场时侧向位移是y．偏转板间距离为d，偏转电压为U2，板长为L．为了使得电子离开偏转电场时侧向位移y增大其他

压U1

如图所示，初速为零的电子经电压U1加速后，垂直进入偏转电场偏转，离开偏转电场时侧向位移是y．偏转板间距离为d，偏转电压为U2，板长为L．若要使侧向位移y增为原来的2倍，可采用下列物理

变为2LD．只使偏转极板间距

如图所示，初速为零的电子经电压U1加速后，垂直进入偏转电场偏转，离开偏转电场时侧向位移是y．偏转板间距离为d，偏转电压为U2，板长为l．为了提高偏转灵敏度（每单位偏转电压引起的其他

增大加速电压U1

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