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向用盐酸酸化的MgSO4溶液中加入Ba（OH）2溶液，产生的沉淀质量m与加入的体积V之间的关系，关于下图曲线的推测正确的是（）A.ab产生的沉淀为硫酸钡B.ab产生的沉淀为氢氧化镁C.bc产生化学

滑动导线电路,一U形导体静止处于与其所在平面相垂直的均匀磁场区域中,它与长度为l的导线构成一回路,该导线正以与B垂直的速度v在U形轨道上滑动.如果l=450mm,B=0.50T,v=1.6m/s,求：（1）感应电物理

体的底端,轨道和滑动导线的电

如图所示，一导线弯成边长为a的等边三角形闭合回路。虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂直于回路所在的平面。回路以速度v向右匀速进入磁场，AC边始终与MN垂直。从C点到物理

B．AC段导线始终不受安培力

如图所示，一边长为a的正方形形闭合回路．虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂直于回路所在的平面．回路以速度v向右匀速进入磁场，边长CD始终与MN垂直．从DB边到达边界物理

段直导线始终不受安培力

三角形金属框架abc所在平面与磁感应强度为B的匀强磁场方向垂直,∠abc=30°,一根直金属棒MN从b点开始沿bc方向以速度v匀速平动,运动过程中MN始终垂直于bc且接触良好,试则回路中感应电动势E随物理

好是原来的二分之一。为什么？

如图所示，一均匀导线弯成边长为l的正三角形闭合回路．虚线O1O2右侧有磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂直于回路所在的平面．回路以速度v向右匀速进入磁场，ab边始终与O1O2垂直．从b点物理

在c点刚进入磁场时发生改变B

如图所示，一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路．虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场．方向垂直于回路所在的平面．回路以速度v向右匀速进入磁场，直径CD始络与MN垂直．从D点到达边界物理

顺时针B．CD段直线始终不受

如图所示，一导线弯成边长为a的等边三角形闭合回路．虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂直于回路所在的平面向里．回路以速度v向右匀速进入磁场，CD边始终与MN平行．从CD边其他

到的安培力先减小后增大C．回

如图所示，一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路，其电阻为R．虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场．方向垂直于回路所在的平面．回路以速度v向右匀速进入磁场，直径CD始终与MN垂直物理

B．CD段直线始终不受

如图所示，一导线弯成直径为d的半圆形闭合回路．虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂直于回路所在的平面．回路以速度v向右匀速进入磁场，直径CD始终与MN垂直．从D点到达边界物理

D段直导线始终不受安培力C.

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