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共找到 33 与cd边的质量为m 相关的结果,耗时111 ms
如图所示,由导线制成的正方形线框边长L,每条边的电阻均为R,其中ab边材料较粗且电阻率较大,其质量为m,其余各边的质量均可忽略不计.线框可绕与cd边重合的水平轴OO′自由转动,不
其他
释放,历时t到达竖直位置,此
如图所示,竖直平面内有两条水平的平行虚线ab、cd,间距为d,其间(虚线边界上无磁场)有磁感应强度为B的匀强磁场,一个正方形线框边长为L,质量为m,电阻为R.线框位于位置1时,其下
物理
入磁场和刚要穿出磁场时的速度
如图所示,相距为d的两条水平虚线L1、L2之间有水平方向的匀强磁场,磁感应强度为B,正方形铜制线圈abcd边长为L(L<d),质量为m,将线圈在磁场上方高h处静止释放,cd边刚离开磁
物理
起一直到ab边离开磁场为止)
如图所示,匀强磁场的磁感应强度为B,方向竖直向下,在磁场中有一边长为L的正方形导线框,导线框每条边的电阻为R,ab边质量为m,其余边质量不计,cd边有固定的水平轴,导线框可以绕
物理
此时ab边的速度为v,求:
如图所示,匀强磁场的磁感应强度为B,宽度为d,边界为CD和EF.一电子从CD边界外侧以速率v0垂直射入匀强磁场,入射方向与CD边界间夹角为θ.已知电子的质量为m,电荷量为e,为使电子能从
物理
?
如图所示,正方形光滑水平台面WXYZ边长L=1.8m,距地面高h=0.8m.CD线平行于WX边,且它们间距d=0.1m.一个质量为m的微粒从W点静止释放,在WXDC平台区域受到一个从W点指向C点的恒力F1=1.25×10-11N作
物理
到另一个力F2作用,其大小满
如图所示,传送带的水平部分AB长为L=4m,以v0=5m/s的速度顺时针转动,水平台面BC与传送带平滑连接于B点,BC长S=lm,台面右边有高为h=0.5m的光滑曲面CD,与BC部分相切于C点.一质量m=lkg的工件
物理
间的动摩擦因数均为μ=0.2
(2008•南通二模)两根相距为L的足够长的金属直角导轨如图所示放置,它们各有一边在同一水平面内,另一边垂直于水平面.质量均为m的金属细杆ab、cd与导轨垂直接触形成闭合回路,杆与
其他
应强度大小为B,方向竖直向上
(2011•绵阳模拟)v图甲所示,导体框架一bcd的一b、cd边平行,框架平面与水平面的夹角为θ,质量为m的导体棒PQ垂直放在两平行导轨一b、cd上,导体棒与框架构成回路的总电阻为R,整个装
其他
时间变化规律v图.乙所示.P
如图(1)所示,abcd是位于竖直平面内的边长为l的正方形闭合金属线框,金属线框的质量为m,电阻为R,在金属线框的下方有一匀强磁场区,MN和PQ是匀强磁场区域的水平边界,并与线框的cd
物理
是金属线框由开始下落到完全穿
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