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氮化硅(Si3N4)是一种优良的高温结构陶瓷,在工业生产和科技领域有重要用途。Ⅰ工业上有多种方法来制备氮化硅,常见的方法有:方法一直接氮化法:在1300-l400℃时,高纯粉状硅与
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氮化硅(Si 3 N 4 )是一种优良的高温结构陶瓷,在工业生产和科技领域有重要用途。 Ⅰ工业上有多种方法来制备氮化硅,常见的方法有: 方法一直接氮化法:在1 300-l 400℃时,高纯粉状硅与纯氮气化合,其反应方程式为__________: 方法二化学气相沉积法:在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氯气、氢气反应生成氯化硅和HCl,与方法一相比,用此法制得的氮化硅纯度较高,其原因是____________________。 方法三 Si(NH 2 ) 4 热分解法:先用四氯化硅与氨气反应生成Si(NH 2 ) 4 和一种气体________(填分子式);然后使Si(NH 2 ) 4 受热分解,分解后的另一种产物的分子式为____________。 Ⅱ.(1)氨化硅抗腐蚀能力很强,但易被氢氟酸腐蚀,氨化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐,此盐中存在的化学键类型有____________。 (2)已知:25℃,101 kPa条件下的热化学方程式: 3Si(s)+2N 2 (g)=Si 3 N 4 (s);△H= -750.2kJ/mol Si(s)+2Cl 2 (g)=SiCl 4 (g);△H=-609.6 kJ/mol H 2 (g)+Cl 2 (g)=HCl(g);△H=-92.3 kJ/mol 请写出四氯化硅气体与氮气、氢气反应的热化学方程式:____________________。 Ⅲ.工业L制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下: |
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已知:X,高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应,Y与X在光照或点燃条件下可反应,Z的焰色呈黄色。 (1)原料B的主要成分是____________。 (2)写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式:____________________ (3)上述生产流程中电解A的水溶液时,阳极材料能否用Cu?___________(填“能”或“不能”)。写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴阳极的电极方程式: 阳极:___________________;阴极:_____________________ |
▼优质解答
答案和解析
Ⅰ.方法一:3Si+2N 2 ![]() 方法二:方法一所得到的产品中混有单质硅或方法二除产品是固体,其他物质均为气体 方法三:HCl;NH 3 Ⅱ.(1)离子键、共价键;(2) 3SiCl 4 (g)+2N 2 (g)+6H 2 (g)=Si 3 N 4 (g)+12HCl(g);△=-29.0kJ/mol Ⅲ.(1)二氧化硅;(2)SiO 2 +2C ![]() |
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