氮化硅(Si3N4)是一种优良的高温结构陶瓷，在工业生产和科技领域有重要用途。Ⅰ工业上有多种方法来制备氮化硅，常见的方法有：方法一直接氮化法：在1300-l400℃时，高纯粉状硅与

Question

氮化硅(Si ₃ N ₄ )是一种优良的高温结构陶瓷，在工业生产和科技领域有重要用途。
Ⅰ工业上有多种方法来制备氮化硅，常见的方法有：
方法一直接氮化法：在1 300-l 400℃时，高纯粉状硅与纯氮气化合，其反应方程式为__________：
方法二化学气相沉积法：在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氯气、氢气反应生成氯化硅和HCl，与方法一相比，用此法制得的氮化硅纯度较高，其原因是____________________。
方法三 Si(NH ₂ ) ₄ 热分解法：先用四氯化硅与氨气反应生成Si(NH ₂ ) ₄ 和一种气体________（填分子式）；然后使Si(NH ₂ ) ₄ 受热分解，分解后的另一种产物的分子式为____________。
Ⅱ．(1)氨化硅抗腐蚀能力很强，但易被氢氟酸腐蚀，氨化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐，此盐中存在的化学键类型有____________。
(2)已知：25℃，101 kPa条件下的热化学方程式：
3Si(s)+2N ₂ (g)=Si ₃ N ₄ (s);△H= -750.2kJ/mol
Si(s)+2Cl ₂ (g)=SiCl ₄ (g);△H=-609.6 kJ/mol
H ₂ (g)+Cl ₂ (g)=HCl(g)；△H=-92.3 kJ/mol
请写出四氯化硅气体与氮气、氢气反应的热化学方程式：____________________。
Ⅲ．工业L制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下：

已知：X，高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应，Y与X在光照或点燃条件下可反应，Z的焰色呈黄色。 (1)原料B的主要成分是____________。
(2)写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式：____________________
(3)上述生产流程中电解A的水溶液时，阳极材料能否用Cu？___________（填“能”或“不能”）。写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴阳极的电极方程式：
阳极:___________________；阴极：_____________________

Answer 1

Ⅰ．方法一：3Si+2N ₂ Si ₃ N ₄
方法二：方法一所得到的产品中混有单质硅或方法二除产品是固体，其他物质均为气体
方法三：HCl；NH ₃
Ⅱ．(1)离子键、共价键；(2) 3SiCl ₄ (g)+2N ₂ (g)+6H ₂ (g)=Si ₃ N ₄ (g)+12HCl(g);△=-29.0kJ/mol
Ⅲ．(1)二氧化硅；(2)SiO ₂ +2C Si+2CO↑；(3)不能；Cu-2e ^- =Cu ²⁺ ；2H ₂ O+2e ^- =H ₂ ↑+2OH ^-