砷化镓（GaAs）属于第三代半导体，用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措。砷

Question

       砷化镓（ GaAs ）属于第三代半导体，用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的 100 倍，而耗能只有其 10% 。推广砷化镓等发光二极管（ LED ）照明，是节能减排的有效举措。砷化镓的晶胞结构如右图。

       试回答：

（ 1 ） As 的核外电子排布式为                      。

（ 2 ）砷化镓晶胞中所包含的 Ga 原子个数为           。

（ 3 ）下列说法正确的是       （填字母）。

       A ．砷化镓晶胞结构与 NaCl 相同            B ．第一电离能： As ＞ Ga

       C ．电负性： As ＞ Ga                     D ．砷化镓晶体中含有配位键

       E ．半导体 GaP 与 GaAs 互为等电子体

（ 4 ）砷化镓是将（ CH ₃ ） ₃ Ga 和 AsH ₃ 用 MOCVD 方法在 700℃ 时制备得到 。

AsH ₃ 的空间形状为                ，（ CH ₃ ） ₃ Ga 中镓原子的杂化方式为               。

（ 5 ） AsH ₃ 沸点比 NH ₃ 低，其主要原因是       。

Answer 1

（ 1 ） 1s ² 2s ² 2p ⁶ 3s ² 3p ⁶ 3d ¹⁰ 4s ² 4p ³ 或 3d ¹⁰ 4s ² 4p ³ （ 2 分 ）

（ 2 ） 4 （ 3 分）

（ 3 ） BCDE （ 3 分，写对 1 个得 0 分，写对 2 ～ 3 个得 2 分，有错得 0 分）

（ 4 ）三角锥形（ 2 分）     sp ² （ 2 分）

（ 5 ） NH ₃ 分子间能形成氢键，而 AsH ₃ 分子间不能形成氢键（ 3 分，没有强调分子间氢键的得 1 分，回答分子内氢键的得 0 分）