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如图所示,电阻不计、间距L=1m、足够长的光滑金属导轨ab、cd与水平面成θ=37°角,导轨平面矩形区域efhg内分布着磁感应强度的大小B=1T,方向垂直导轨平面向上的匀强磁场,边界ef、gh之间的
题目详情
如图所示,电阻不计、间距L=1m、足够长的光滑金属导轨ab、cd与水平面成θ=37°角,导轨平面矩形区域efhg内分布着磁感应强度的大小B=1T,方向垂直导轨平面向上的匀强磁场,边界ef、gh之间的距离D=1.4m.现将质量m=0.1kg、电阻R=
Ω的导体棒P、Q相隔△t=0.2s先后从导轨顶端由静止自由释放,P、Q在导轨上运动时始终与导轨垂直且接触良好,P进入磁场时恰好匀速运动,Q穿出磁场时速度为2.8m/s.已知重力加速度g=10m/s2,sin37°=0.6,求
(1)导轨顶端与磁场上边界ef之间的距离S;
(2)从导体棒P释放到Q穿出磁场的过程,回路中产生的焦耳热Q总.
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(1)导轨顶端与磁场上边界ef之间的距离S;
(2)从导体棒P释放到Q穿出磁场的过程,回路中产生的焦耳热Q总.
▼优质解答
答案和解析
(1)设P进磁场时的速度为v1,
由法拉第电磁感应定律 E=BLv1
由闭合电路欧姆定律 I=
P所受的安培力 F=BIL
P匀速运动,则有 F=mgsinθ
联立解得 v1=2m/s
由牛顿第二定律 a=gsinθ
由运动学公式 S=
解得 S=
m≈0.33m
(2)P进入磁场以速度v1匀速运动△t=0.2s后,Q恰好进入磁场,速度也为v1=2m/s.之后,P、Q以加速度a匀加速运动,P出磁场以后继续以加速度a匀加速运动,而Q在安培力作用下减速运动,直到穿出磁场区域.
P在磁场中匀速运动的位移 x1=v1t
此过程回路产生的焦耳热 Q1=mgx1sinθ
P、Q一起匀加速运动的位移 x2=D-x1
设P刚好出磁场时,P、Q的速度为v,由运动学公式
v2-v12=2ax2
解得 v=4m/s
Q出磁场时的速度为v2=2.8m/s,运动的位移 x3=x1.
Q减速运动过程中回路产生的焦耳热
Q2=mgx3sinθ+
mv2-
m
所以,全过程回路中的焦耳热为Q总=Q1+Q2=0.888J
答:
(1)导轨顶端与磁场上边界ef之间的距离S为0.33m;
(2)从导体棒P释放到Q穿出磁场的过程,回路中产生的焦耳热Q总为0.888J.
由法拉第电磁感应定律 E=BLv1
由闭合电路欧姆定律 I=
E |
2R |
P所受的安培力 F=BIL
P匀速运动,则有 F=mgsinθ
联立解得 v1=2m/s
由牛顿第二定律 a=gsinθ
由运动学公式 S=
| ||
2a |
解得 S=
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3 |
(2)P进入磁场以速度v1匀速运动△t=0.2s后,Q恰好进入磁场,速度也为v1=2m/s.之后,P、Q以加速度a匀加速运动,P出磁场以后继续以加速度a匀加速运动,而Q在安培力作用下减速运动,直到穿出磁场区域.
P在磁场中匀速运动的位移 x1=v1t
此过程回路产生的焦耳热 Q1=mgx1sinθ
P、Q一起匀加速运动的位移 x2=D-x1
设P刚好出磁场时,P、Q的速度为v,由运动学公式
v2-v12=2ax2
解得 v=4m/s
Q出磁场时的速度为v2=2.8m/s,运动的位移 x3=x1.
Q减速运动过程中回路产生的焦耳热
Q2=mgx3sinθ+
1 |
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1 |
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所以,全过程回路中的焦耳热为Q总=Q1+Q2=0.888J
答:
(1)导轨顶端与磁场上边界ef之间的距离S为0.33m;
(2)从导体棒P释放到Q穿出磁场的过程,回路中产生的焦耳热Q总为0.888J.
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