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氮化硅膜与二氧化硅膜相比较具有表面化学性能稳定等优点，故氮化硅膜可用于半导体工业．
为生成氮化硅膜
，可以用NH3和SiH4（硅烷）在一定条件下反应并在600℃的加热基板上生成氮化硅膜
化学
条件
氮化硅膜与二氧化硅膜相比较具有表面化学性能稳定等优点，故氮化硅膜可用于半导体工业。
为生成氮化硅膜
，可以用NH3和SiH4（硅烷）在一定条件下反应并在600℃的加热基板上生成氮
化学
为原料制备硅烷的反应和工业流
（2013•海淀区二模）氮化硅膜与二氧化硅膜相比较具有表面化学性能稳定等优点，故氮化硅膜可用于半导体工业．
为生成氮化硅膜
，可以用NH3和SiH4（硅烷）在一定条件下反应并在600℃的加
化学
以硅化镁为原料制备硅烷的反应
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