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[化学--物质结构与性质](1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中,与同一个Ga原子
化学
N属于______晶体.(2
(1)图1所示一些晶体的结构(晶胞),其中代表干冰的是;(2)MgO晶胞空间构型与NaCl晶体相同,MgO晶体中Mg2+的配位数为.与同个Mg2+等距且最近的O2-围成的空间几何构型是.M
化学
_;(3)若C、D代表某种元
已知C3N4晶体具有比金刚石还大的硬度,且构成该晶体的微粒间只以单键结合.下列关于C3N4晶体的说法错误的是()A.该晶体属于原子晶体,其化学键比金刚石更牢固B.该晶体中每个碳
化学
结构D.该晶体与金刚石相似,
关于SiO2晶体结构的说法正确的是()A、晶体中存在四面体单元,其中O位于四面体中心,Si位于顶点B、最小环上有3个Si和3个OC、晶体中每个Si原子与2个O原
化学
、最小的环上Si原子与O原子
C和Si元素在化学中占有极其重要的地位.(1)写出Si原子的核外电子排布式.(2)SiC的晶体结构与金刚石相似,SiC晶体中存在的微粒间作用力是;SiC的熔点金刚石.(填“>”或“
化学
为___;MO是优良的耐高温
如图1表示一些晶体中的某些结构,它们分别是NaCl、CsCl、干冰、金刚石结构中的某一种的某一部分.(1)其中代表金刚石的是(填编号字母,下同),其中每个碳原子与个碳原子最
化学
____,每个Na+周围与它
(1)第ⅢA、ⅤA族元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中,每个Ga原子与个N原子相连,与同
化学
晶体类型中,GaN属于___
二氧化硅晶体是立体的网状结构,其结构如图所示.关于二氧化硅晶体的下列说法不正确的是()A、晶体中Si、O原子个数比为1:2B、晶体中Si、O原子最外层
化学
i-O键数目为4
关于SiO2晶体结构的说法正确的是()A.晶体中存在四面体单元,其中O位于四面体中心,Si位于顶点B.最小环上有3个Si和3个OC.晶体中每个Si原子与2个O原子成键,形成SiO2分子D.最小的
化学
(12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为▲。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原
化学
▲ 晶体。⑵ K^S*
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