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（2014•湖北模拟）砷化镓为第三代半导体材料，晶胞结构如图所示，（1）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的化学方程式为（CH3）3Ga+AsH3700℃3CH4+GaAs（CH3）3Ga+AsH3700℃3CH4+ 化学

sH3空间构型为______

（2012•安庆二模）砷化镓（化学式为GaAs）是一种重要的半导体材料．砷化镓中砷元素显-3价，则镓元素的化合价是（）A．-3B．0C．+1D．+3 化学

（三选一）化学——选修物质结构与性质(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为。在GaN 化学

__。在四大晶体类型中，Ga

[化学--物质结构与性质]（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在GaN晶体中，与同一个Ga原子化学

N属于______晶体．（2

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