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（1）第ⅢA、ⅤA族元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在GaN晶体中，每个Ga原子与个N原子相连，与同化学

晶体类型中，GaN属于___

C和Si元素在化学中占有极其重要的地位．（1）写出Si原子核外最外层电子排布式．C、Si和O元素的原子半径由小到大的顺序为．（2）SiC的晶体结构与晶体硅的相似，微粒间存在化学

）．（3）氧化物MO的电子总

用于金属焊接的某种焊条，其药皮由大理石、水泥、硅铁等配制而成．（1）Al的原子结构示意图为；SiO2的晶体类型为．（2）Al3+与Yn-的电子数相同，Y所在族的各元素的氢化物的水化学

接过程中，药皮在高温下产生了

二氧化硅晶体是立体的网状结构，其结构如图所示．关于二氧化硅晶体的下列说法不正确的是（）A、晶体中Si、O原子个数比为1：2B、晶体中Si、O原子最外层化学

i-O键数目为4

（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为▲。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原化学

▲ 晶体。⑵ K^S*

二氧化硅晶体是立体的网状结构．其晶体模型如图所示．认真观察晶体模型并回答下列问题：（1）二氧化硅晶体中最小的环为元环．（2）每个硅原子为个最小环共有．（3）每个最化学

二氧化硅晶体是立体的网状结构，其结构如图所示．关于二氧化硅晶体的下列说法不正确的是（）A．晶体中Si、O原子个数比为1：2B．晶体中Si、O原子最外层都满足8电子结构C．晶体中一其他

二氧化硅晶体是立体的网状结构，其结构如图所示．关于二氧化硅晶体的下列说法不正确的是（）A．晶体中Si、O原子个数比为1：2B．晶体中最小环上的原子数为8C．晶体中一个硅原子共化学

（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间化学

2）铜、铁元素能形成多种配合

（三选一）化学——选修物质结构与性质(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为。在GaN 化学

__。在四大晶体类型中，Ga

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