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如图所示，固定在水平桌面上的金属框架cdef，处在竖直向下的匀强磁场中，金属棒ab搁在框架上，可无摩擦滑动，此时adeb构成一个边长为L的正方形，开始时磁感应强度为B0．若从t=0时刻起，其他

应强度应怎样随时间变化（写出

如图所示，MN、PQ为足够长的光滑平行导轨，间距L=0.5m．导轨平面与水平面间的夹角θ=30°．NQ⊥MN，NQ间连接有一个R=3Ω的电阻．有一匀强磁场垂直于导轨平面，磁感应强度为B0=1T．将一根质量物理

良好，金属棒的电阻r=2Ω，

如图（A）所示，固定于水平桌面上的金属架cdef，处在一竖直向下的匀强磁场中，磁感强度的大小为B0，金属棒ab搁在框架上，可无摩擦地滑动，此时adeb构成一个边长为l的正物理

场开始均匀增加，磁感强度变化

如图所示，导体棒ef置于固定在水平面上的U形金属框架abcd上，并良好接触，整个装置处在竖直向下的匀强磁场中．t=0时，磁感应强度为B0，aefc恰构成一个正方形回路，导体棒在水平拉力作用物理

化的规律应为图中的哪一个（　

两个完全相同的通电圆环A、B圆心O重合、圆面相互垂直的放置，通电电流相同，电流方向如图所示，设每个圆环在其圆心O处独立产生的磁感应强度为B0，则O处物理

霍尔式位移传感器的测量原理是：如图所示，有一个沿z轴方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz（B0、k均为常数）．将传感器固定在霍尔元件上，沿z轴方向元件的厚度为d，保持通过霍尔元件的电流物理

上的上、下表面的电势差U也不

霍尔式位移传感器的测量原理是：如图所示，有一个沿z轴方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz（B0，k均为常数），将将传感器固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流不变（方向如图中箭头所示物理

（　　）A. 磁感应强度B越

（2011•南通二模）霍尔式位移传感器的测量原理是：如图所示，有一个沿z轴方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz（B0，k均为常数），将传感器固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变（方向物理

下表面的电势差U也不同．则（

一有界匀强磁场区域如图（甲）所示，abcd是一个质量为m、电阻为R、边长为L、匝数为N的正方形线圈．线圈一半在磁场内，一半在磁场外．t=0时刻磁场磁感应强度由B0开始均匀减小，线圈在磁物理

出，不考虑重力影响．则磁场磁

霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，有一个沿z轴正方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz（B0、k均为常数且k为正数）．将霍尔元件固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变（方向如图所示物理

不同，则（　　）A. 磁感应

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