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最近科学家成功制成了一种新型的碳氧化合物,该化合物晶体中每个碳原子均以四个共价单键与氧原子结合为一种空间网状的无限伸展结构,下列对该晶体叙述错误的是()A.该晶体类
化学
:4D. 晶体的空间最小环共
下列说法中错误的是()A.SiH4的空间构型是正四面体B.在NH4+和[Cu(NH3)4]2+中都存在配位键C.原子晶体中原子以共价键结合,具有键能大、硬度大的特性D.SO2、SO3都是极性分子
化学
最近科学家成功制成了一种新型的碳氧化合物,该化合物晶体中每个碳原子均以四个共价单键与氧原子结合为一种空间网状的无限伸展结构,下列对该晶体叙述错误的是A.该晶体类型是原子
其他
空间最小环共有12个原子构成
第ⅢA、ⅤA原元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中,每个Ga原子与个N原子相连,与同一个Ga原子
化学
__晶体.
以下说法正确的是()A.白磷与金刚石一样,晶体中原子以共价键结合,形成空间网状结构B.CO2和SiO2晶体中,化学键类型相同,晶体类型也相同C.共价化合物可以含离子键D.NH4Cl晶体
化学
下列各图为几种晶体或晶胞的构型示意图.(1)这些晶体中,粒子之间以共价键结合形成的晶体是.(2)MgO晶胞中实际占有Mg2+个,每个Cu晶胞中实际占有个Cu原子.(3)NaCl晶胞与MgO
化学
O晶体的晶格能,原因是___
[化学--物质结构与性质](1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中,与同一个Ga原子
化学
N属于______晶体.(2
最近科学家成功的制成了一种新型的碳氧化合物,该化合物晶体中每个碳原子均以四个共价单键与氧原子结合为一种空间网状的无限伸展结构,下列对该晶体叙述错误的是()A.该物质
化学
该物质的性质与二氧化碳相
(1)第ⅢA、ⅤA族元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中,每个Ga原子与个N原子相连,与同
化学
晶体类型中,GaN属于___
(12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为▲。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原
化学
▲ 晶体。⑵ K^S*
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