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请回答下列问题:(1)31Ga基态原子的核外电子排布式是。某种半导体材料由Ga和As两种元素组成,该半导体材料的化学式是,其晶体结构类型可能为。(2
化学
糖的代谢,并有保护神经系统的
请完成下列各题:第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与金刚石相似.(1)Ga原子的电子排布式为.(2)在GaAs晶体中,每个Ga原子与
化学
构型为______.(3)在
科学家开发一种以铝镓(镓:Ga)合金制取氢气的新工艺,如下面流程图:(1)镓铝合金属于(填“纯净物”或“混合物”).图示工艺中,循环使用的单质是.(2)写出①中生成氢
化学
,反应的化学方程式:___;
如图,已知⊙O为△ABC的外接圆,BC为直径,点E在AB上,过点E作EF⊥BC,点G在FE的延长线上,且GA=GE.(1)求证:AG与⊙O相切;(2)若AC=5,AB=12,BE=133,求线段OE的长.
数学
1.实验桌上放有小木块长木板轻弹簧直尺细线,请设计一个实验,测出小木块与长木板间的动摩擦因数.要求说明实验主要步骤,列出测量结果的表达式.2.如图示,重力分别为GA和GB的滑块AB,由绕
物理
之间的动摩擦因数为u2,问:
镓(Ga)是火法冶炼锌过程中的副产品,镓与铝同主族且相邻,化学性质与铝相似.氮化镓(GaN)是制造LED的重要材料,被誉为第三代半导体材料.(1)Ga在元素周期表中的位置.(2)GaN
化学
镓的化合物的说法正确的是__
(2014•锦州)如图,已知,⊙O为△ABC的外接圆,BC为直径,点E在AB上,过点E作EF⊥BC,点G在FE的延长线上,且GA=GE.(1)求证:AG与⊙O相切.(2)若AC=6,AB=8,BE=3,求线段OE的长.
其他
梯形:DC‖EF‖GH‖AB,AB=30,CD=6,DE:EG:GA=1:2:3,则EF=GH=
数学
如图,AB切O于点B,AD交O于点C和点D,点E为DC的中点,连接OE交CD于点F,连接BE交CD于点G.(1)求证:AB=AG;(2)若DG=DE,求证:GB2=GC•GA;(3)在(2)的条件下,若tanD=34,EG=10,求O的半径
数学
为研究赤霉素(GA素(IAA)对植物生长的影响,切取菟丝子茎顶端2.5cm长的部分(茎芽),置于培养液中无菌培养(图1).实验分为A、B、C三组,分别培养至第1、8、15天,每组再用适宜浓度
语文
__分子.(2)图1中,试管
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