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（2006•东城区一模）半导体材料硅中掺砷后成为N型半导体，它的自由电子的浓度大大增加，导电能力也大大增加．一块N型半导体的样品的体积为a×b×c，A’、C、A、C’为其四个侧面，如图物理

放在匀强磁场中，磁场方向沿Z

法国数学家棣莫弗，A．（DeMoivre，Abraham）证明了这样一个结论（也称棣莫弗定理）（cosα+isinα）n=cos（nα）+isin（nα）（这里i为虚数单位，n为正整数），应用此结论求下面式子的值C 数学

如图所示，带正电的导体球A置于原来不带电的空腔导体球内，M、P分别是导体A、B内的点，N为导体A和B之间的一点，则下列说法中正确的是（）A．M、N、P三点的电势都相等B．M点的电场其他

第四周期过渡元素易与C、H、N、O形成多种化合物．（1）①C、N、O三种元素的电负性由小到大的顺序为．②下列叙述不正确的是．（填序号）a．因为HCHO与水分子间能形成氢键，所以HCHO 化学

分子中含有6个σ键和1个大π

第四周期过渡元素Fe、Ti可与C、H、N、O形成多种化合物．（1）①H、C、N、O四种元素的电负性由小到大的顺序为．②下列叙述不正确的是．（填字母）A．因为HCHO与水分子间能形成氢化学

用sp2杂化C．C6H6分子

第四周期过渡元素Fe、Ti可与C、H、N、O形成多种化合物．（1）①H、C、N、0四种元素的电负性由小到大的顺序为．②下列叙述不正确的是．（填字母）A．因为HCHO与水分子间能形成氢化学

用sp2杂化C．C6H6分子

设n阶矩阵A的各行元素之和均为零，且A的秩为n-1，则线性方程组AX=0的通解为．数学

元素R的离子Rn-核外共有x个电子，R原子的质量数为a，则R原子里的中子数为（）A．a-x+nB．a-x-nC．a+x-nD．a+x+n 化学

某元素R的阳离子是RN+，核外共有x个电子，其质量数为A，则R核内中子数为（）A．A-X+NB．A-X-NC．A+X+ND．A-N+X 化学

某元素Rn-核外有x个电子，该元素的某种原子质量数为A，则原子里的中子数为（）A．A-x-nB．A+x+nC．A-x+nD．A+x-n 化学

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