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第ⅢA族的Al、Ga均为两性元素，已知Al的氢氧化物酸性比Ga的氢氧化物酸性弱，当CO2通入NaAlO2和NaGaO2的溶液中，首先沉淀出来的氢氧化物是（）A.Al（OH）3B.Ga（OH）3C.同时沉淀出来D.无法其他

如图是植物体内赤霉素（GA）和脱落酸（ABA）的形成过程，下列相关说法不正确的是（）A.GA与ABA的形成途径相似，都受光照的影响B.GA与ABA的形成从根本上来说是植物基因组程序性表达语文

D. 夏季植物体内ABA产

第ⅢA族的Al、Ga均为两性元素，已知Al的氢氧化物酸性比Ga的氢氧化物酸性弱，当CO2通入NaAlO2和NaGaO2的溶液中，首先沉淀出来的氢氧化物是（）A.Al（OH）3B.Ga（OH）3C.同时沉淀出来D.无法其他

第ⅢA族的Al、Ga均为两性元素，已知Al的氢氧化物酸性比Ga的氢氧化物酸性弱，当CO2通入NaAlO2和NaGaO2的溶液中，首先沉淀出来的氢氧化物是（）A．Al（OH）3B．Ga（OH）3C 化学

第ⅢA族的Al、Ga均为两性元素，已知Al的氢氧化物酸性比Ga的氢氧化物酸性弱，当CO2通入NaAlO2和NaGaO2的溶液中，首先沉淀出来的氢氧化物是（）A．Al（OH）3B．Ga（OH）3C．同时沉淀出来D．化学

[化学--物质结构与性质]（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在GaN晶体中，与同一个Ga原子化学

N属于______晶体．（2

（1）第ⅢA、ⅤA族元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在GaN晶体中，每个Ga原子与个N原子相连，与同化学

晶体类型中，GaN属于___

（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为▲。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原化学

▲ 晶体。⑵ K^S*

（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间化学

2）铜、铁元素能形成多种配合

为什么kazokuga和otoutoga后面的ga都不发声啊,书上说什ga等后续助词的声调, 语文

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