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(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间
化学
2)铜、铁元素能形成多种配合
(12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为▲。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原
化学
▲ 晶体。⑵ K^S*
(1)第ⅢA、ⅤA族元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中,每个Ga原子与个N原子相连,与同
化学
晶体类型中,GaN属于___
[化学--物质结构与性质](1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中,与同一个Ga原子
化学
N属于______晶体.(2
第ⅢA、ⅤA原元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中,每个Ga原子与个N原子相连,与同一个Ga原子
化学
__晶体.
化学上GaP是什么这是EDX测试上的一个术语,有谁知道吗?
数学
细胞的有丝分裂分为分裂间期(G1,M,G2期)和分裂期,所谓G 就是GAP的意思吗?
其他
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