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第ⅢA、ⅤA原元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中,每个Ga原子与个N原子相连,与同一个Ga原子
化学
__晶体.
[化学--物质结构与性质](1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中,与同一个Ga原子
化学
N属于______晶体.(2
(1)第ⅢA、ⅤA族元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中,每个Ga原子与个N原子相连,与同
化学
晶体类型中,GaN属于___
(12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为▲。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原
化学
▲ 晶体。⑵ K^S*
(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间
化学
2)铜、铁元素能形成多种配合
(三选一)化学——选修物质结构与性质(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为。在GaN
化学
__。在四大晶体类型中,Ga
⑴写出基态铬原子的价电子排布式⑵干冰晶体中,在每个CO2分子的周围与它最接近的且距离相等的CO2分子共有个。⑶碳化硅(SiC)是一种具有类似金刚石结构的晶体,中C原子和
化学
③碳化硅中,它们熔点从高到
1919年,Langmuir提出等电子原理:原子数相同,电子总数相同的分子,互称为等电子体.
等电子体的结构相似
,物理性质相似.根据上述原理,下列分子互为等电子体的是()A、N2、COB、H2O、HFC、NH3、
其他
1919年,Langmuir提出等电子原理:原子数相同、电子总数相同的分子,互称为等电子体.
等电子体的结构相似
、物理性质相近.根据上述原理,仅由第2周期元素组成的共价分子中,互为等电
化学
下列常见分子中σ键、π键判断正确的是()A.CN-与N2结构相似,CH2=CHCN分子中σ键与π键数目之比为1:1B.CO与N2结构相似,CO分子中σ键与π键数目之比为2:1C.C2−2与O2+2互为等电子体,1
化学
N2O4(l)+2N2H4(
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