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C和Si元素在化学中占有极其重要的地位．（1）写出Si的原子结构示意图．（2）SiC的晶体结构与金刚石相似，其中硅原子的杂化方式为，微粒间存在的作用力是．（3）氧化物MO的化学

是优良的耐高温材料，其晶体结

在40GPa高压下，用激光器加热到1800K时，人们成功制得了原子晶体干冰，其结构和性质与SiO2原子晶体相似。下列有关推断不正确的是()A．原子晶体干冰有很高的熔、沸点化学

剂 C．原子晶体干冰在

[化学--物质结构与性质]（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在GaN晶体中，与同一个Ga原子化学

N属于______晶体．（2

正硼酸（H3BO3）是一种片层状结构白色晶体，有与石墨相似的层状结构.层内的H3BO3分子通过氢键相连（如图）.下列有关说法正确的是（）A.正硼酸晶体属于原子晶体B.H3BO3分子的稳定性化学

BO3的晶体中有3mol氢键

C和Si元素在化学中占有极其重要的地位．（1）写出Si原子的核外电子排布式．（2）SiC的晶体结构与金刚石相似，SiC晶体中存在的微粒间作用力是；SiC的熔点金刚石．（填“>”或“ 化学

为___；MO是优良的耐高温

（1）第ⅢA、ⅤA族元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在GaN晶体中，每个Ga原子与个N原子相连，与同化学

晶体类型中，GaN属于___

C和Si元素在化学中占有极其重要的地位．（1）写出Si原子核外最外层电子排布式．C、Si和O元素的原子半径由小到大的顺序为．（2）SiC的晶体结构与晶体硅的相似，微粒间存在化学

）．（3）氧化物MO的电子总

（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为▲。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原化学

▲ 晶体。⑵ K^S*

（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间化学

2）铜、铁元素能形成多种配合

（三选一）化学——选修物质结构与性质(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为。在GaN 化学

__。在四大晶体类型中，Ga

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