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霍尔式位移传感器的测量原理是：如图所示，有一个沿z轴方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz（B0，k均为常数），将将传感器固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流不变（方向如图中箭头所示物理

（　　）A. 磁感应强度B越

函数y=a^x-(b+1）（a＞0,a≠1)的图像经过第一、三、四象限,则一定有（）.Aa＞1且b＞0;B0＜a＜1且b＜0;C0＜a＜1且b＞0;Da＞1且b＞1. 其他

霍尔式位移传感器的测量原理是：如图所示，有一个沿z轴方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz（B0、k均为常数）．将传感器固定在霍尔元件上，沿z轴方向元件的厚度为d，保持通过霍尔元件的电流物理

上的上、下表面的电势差U也不

如图所示，匀强磁场的方向竖直向上，磁感应强度大小为B0．电阻为R、边长为L的正方形线框abcd水平放置，OO′为过ad、bc两边中点的直线，线框全部位于磁场中．现将线框右半部固定不动，其他

过程中线框中产生的感应电动势

如图所示，匀强磁场的磁感应强度方向竖直向上，大小为B0，用电阻率为ρ、横截面积为S的导线做成的边长为l的正方形线框水平放置，为过、两边中点的直线。线框全部都位于磁物理

。（1）求转动过程中通过导

（15分）如图所示，匀强磁场的方向竖直向上，磁感应强度大小为B0．电阻为R、边长为L的正方形线框水平放置，OO′为过ad、bc两边中点的直线，线框全部位于磁场中．现将线框右半部物理

（1）写出转动过程中线框中

（2013•江西三模）如图所示，质量为m、带电量为q的离子沿垂直于磁场方向射入磁感应强度为B0的匀强磁场中．在垂直穿过图中标号为0的薄板后，圆运动的半径减小为原来的1k（k＞1），此薄其他

与B0方向相同的匀强磁场且离

如图所示，匀强磁场中有一个半圆形闭合导线框，其直径与磁场边缘重合，磁场方向垂直于纸面（导线框所在平面）向里，磁感应强度大小为B0．当该线框从静止开始绕过圆心O、垂直于纸面其他

匀变化．为了产生同样大小的感

根据“已知点A（a0，0）是圆C1：x2R2+y2R2=1外一点，设不垂直于x轴的直线l与圆C1交于P，Q两点，若x轴是∠PAQ的平分线，则直线l过定点A′（R2a0，0）”，通过类比可推知“已知点B（b0，0）是椭其他

设不垂直于x轴的直线l′与椭

如图所示，匀强磁场的磁感应强度方向竖直向上，大小为B0，用电阻率为ρ、横截面积为S的导线做成的边长为的正方形线圈abcd水平放置，为过ad、bc两边中点的物理

向上转动60°，如图中虚线所

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