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共找到 10 与GaN晶体中 相关的结果，耗时28 ms
（1）前四周期元素中，基态原子中未成对电子数与其所在周期数相同的元素有种．（2）第IIIA、VA原元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅
化学
与______个N原子相连，
请完成下列各题：第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与金刚石相似．（1）Ga原子的电子排布式为．（2）在GaAs晶体中，每个Ga原子与
化学
构型为______．（3）在
一道高中化学问题题：
GaN晶体中
,每个Ga原子与?个N相连,与同一个Ga相连的N原子构成的空间构型为：?.GaN属于?晶体.请解释原因,谢!
化学
科研人员最新研制成一种新型的氮化镓(GaN)晶体管,有望取代传统晶体管。氮化镓中镓元素(
科研人员最新研制成一种新型的氮化镓（GaN）晶体管，有望取代传统晶体管。氮化镓中镓元素（ ）。A．为+3价B．位于第IA族C．位于第三周期D．离子半径大于其原子半径
科研人员最新研制成一种新型的氮化镓(GaN)晶体管,有望取代传统晶体管。氮化镓中镓元素 ( )A.为
科研人员最新研制成一种新型的氮化镓（GaN）晶体管，有望取代传统晶体管。氮化镓中镓元素 （ ）A．为+3价B．位于第IA族C．位于第三周期D．离子半径大于其原子半径
（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在
GaN晶体中
，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间
化学
2）铜、铁元素能形成多种配合
（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为▲。在
GaN晶体中
，与同一个Ga原子相连的N原
化学
▲ 晶体。⑵ K^S*
（1）第ⅢA、ⅤA族元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在
GaN晶体中
，每个Ga原子与个N原子相连，与同
化学
晶体类型中，GaN属于___
[化学--物质结构与性质]（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在
GaN晶体中
，与同一个Ga原子
化学
N属于______晶体．（2
第ⅢA、ⅤA原元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在
GaN晶体中
，每个Ga原子与个N原子相连，与同一个Ga原子
化学
__晶体．
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