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已知匀加速直线运动中,在第2.5s末的瞬时速度为15m/s,则以下判断正确的是：A.质点的V0＝10m/s B.a＝2C.质点在第3秒内的平均速度为15m/s D.质点在第3秒内的唯位移为15m 求详解物理

已知关系R有20个元组,S有10个元组,则R∪S和R∩S的元组数不可能是A.25、5B.28、2C.30、10D.20、10

已知关系R有20个元组，S有10个元组，则R∪S和R∩S的元组数不可能是A．25、5B．28、2C．30、10D．20、10

（1）工业上用石英砂和焦炭可制得粗硅．已知：请将以下反应的热化学方程式补充完整：SiO2（s）+2C（s）═Si（s）+2CO（g）△H=（2）粗硅经系列反应可生成硅烷（SiH4），硅烷分解生成高化学

度解释其原因：______．

高纯晶体硅是信息技术的关键材料．（1）工业上用石英砂和焦炭可制得粗硅．已知：图1、图2请将以下反应的热化学方程式补充完整：SiO2（s）+2C（s）═Si（s）+2CO（g）△H=（2）粗硅经系化学

低于甲烷，用原子结构解释其原

已知碳、一氧化碳、晶体硅的燃烧热分别是△H=-393．5kJ/mol、△H="-283"kJ/mol和△H="-989"kJ/mol，则工业冶炼晶体硅反应2C(s)+SiO2(s)="Si"(s)+2CO(g)△H=A．+768kJ/molB．-768kJ/molC．化学

ol B．-768 kJ/

已知碳、一氧化碳、晶体硅的燃烧热分别是△H=-393.5kJ/mol、△H=-283kJ/mol和△H=-989kJ/mol，则工业冶炼晶体硅反应2C（s）+SiO2（s）═Si（s）+2CO（g）△H=（）A．+768kJ/molB．-768kJ/molC．+234 化学

2342 kJ/molD．-

高为根号2/4的四棱锥S-ABCD的底面是边长为1的正方形,点S、A、B、C、D均在半径为1的同一球面上,则底面ABCD的中心与顶点S之间的距离为（）A.根号2/4B.根号2/2C.1D.根号2 数学

两事件在S系中时空坐标分别为x1=x0,t1=x0/2c和x2=2x0,t=x0/c.若两事件在S′系中是同时发生的,则S′ 数学

已知反应2CO（g）=2C（s）+O2（g）的△H为正值，△S为负值，设△H和△S不随温度改变，对于该反应下列说法正确的是A.低温下是自发变化B.高温下是自发变化C.任何温度下都是自发变化D.任何温其他

已知反应2CO（g）═2C（s）+O2（g）的△H为正值，△S为负值．设△H和△S不随温度的改变而改变．则下列说法中，正确的是（）A．低温下是自发变化B．高温下是自发变化C．低温下是非自化学

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