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请完成下列各题：（1）前四周期元素中，基态原子中未成对电子数与其所在周期数相同的元素有种．（2）第ⅢA、ⅤA族元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，化学

个Ga原子与______个N

下列读音正确的是A：胸脯pu（第二声)B：竹竿gan(第三声）C：山冈gang（第三声）D：给予yu（第二声）C是错的、、语文

LED灯在节能和使用寿命方面比白炽灯有近10倍优势．氮化镓GaN是LED灯的一种核心材料，其生产原理为2Ga+2NH3═2GaN+3H2．下列有关叙述不正确的是（）A.氮化镓是一种合金B.氮化镓是一种化学

合价为+3

第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．试回答：（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为．（2）下列说法正确的是ACAC 化学

分子晶体C．电负性：As＞G

Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为化学

（选填序号）。A．砷和镓

太阳能光电池由于具有可靠性好、寿命长等特点，适于很多特蛛环境和场合，现已得到广泛应用．氮化镓（GaN）光电池的结构如图所示．下列说法中正确的是（）A.该装置系统中只存在化学

交换膜为质子交换膜，H+从右

人工光合系统装置（如图）可实现以CO2和H2O合成CH4．下列有关说法不正确的是（）A.该装置为原电池，且铜为正极B.电池工作时，H+向Cu电极移动C.GaN电极表面的电极反应式为：2H2O-4e- 化学

中每消耗1mol CO2转移

请完成下列各题：第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与金刚石相似．（1）Ga原子的电子排布式为．（2）在GaAs晶体中，每个Ga原子与化学

构型为______．（3）在

一道语文选择题1下列加点字注音正确的一组是()A市侩(kuai第四声）B鬓发(bin第四声)C卑躬屈膝(xi第一声)D揭竿而起(gan第一声)A山坡(po第一声)B匕首(bi第三声)C装模做样(mo第二声)D自语文

(yi第四声) B眼睑(ji

通过X射线衍射和扫描电镜研究发现,A粉末是六角纤锌矿结构的粒状微晶,其晶格常数a和c分别为0.3191nm和0.5192nm.计算A的密度.A是GaN 化学

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