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第ⅢA、ⅤA原元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中,每个Ga原子与个N原子相连,与同一个Ga原子
化学
__晶体.
[化学--物质结构与性质](1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中,与同一个Ga原子
化学
N属于______晶体.(2
(1)第ⅢA、ⅤA族元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中,每个Ga原子与个N原子相连,与同
化学
晶体类型中,GaN属于___
(12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为▲。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原
化学
▲ 晶体。⑵ K^S*
(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为.在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间
化学
2)铜、铁元素能形成多种配合
(三选一)化学——选修物质结构与性质(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为。在GaN
化学
__。在四大晶体类型中,Ga
通过X射线衍射和扫描电镜研究发现,A粉末是六角纤锌矿结构的粒状微晶,其晶格常数a和c分别为0.3191nm和0.5192nm.计算A的密度.
A是GaN
化学
一道语文选择题1下列加点字注音正确的一组是()A市侩(kuai第四声)B鬓发(bin第四声)C卑躬屈膝(xi第一声)D揭竿而起(gan第一声)A山坡(po第一声)B匕首(bi第三声)C装模做样(mo第二声)D自
语文
(yi第四声) B眼睑(ji
请完成下列各题:第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与金刚石相似.(1)Ga原子的电子排布式为.(2)在GaAs晶体中,每个Ga原子与
化学
构型为______.(3)在
人工光合系统装置(如图)可实现以CO2和H2O合成CH4.下列有关说法不正确的是()A.该装置为原电池,且铜为正极B.电池工作时,H+向Cu电极移动C.GaN电极表面的电极反应式为:2H2O-4e-
化学
中每消耗1mol CO2转移
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