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（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间化学

2）铜、铁元素能形成多种配合

第ⅢA、ⅤA原元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在GaN晶体中，每个Ga原子与个N原子相连，与同一个Ga原子化学

__晶体．

（1）第ⅢA、ⅤA族元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在GaN晶体中，每个Ga原子与个N原子相连，与同化学

晶体类型中，GaN属于___

（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为▲。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原化学

▲ 晶体。⑵ K^S*

Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为化学

（选填序号）。A．砷和镓

第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．试回答：（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为．（2）下列说法正确的是ACAC 化学

分子晶体C．电负性：As＞G

[化学--物质结构与性质]（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为．在GaN晶体中，与同一个Ga原子化学

N属于______晶体．（2

（三选一）化学——选修物质结构与性质(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为。在GaN 化学

__。在四大晶体类型中，Ga

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