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如图所示，在x轴下方的区域内存在沿y轴负方向的匀强电场，电场强度为E，在x轴上方有半径为R的圆形区域内存在匀强磁场，磁场的方向垂直于xy平面并指向纸面内，磁感应强度为B．y轴下方物理

点射入磁场，不计粒子的重力作

（2012•和平区二模）如图所示，在平面直角坐标系xoy中的第一象限内存在磁感应强度大小为B、方向垂直于坐标平面向内的有界圆形匀强磁场区域（图中未画出）；在第二象限内存在沿x轴负其他

速度大小为v的电子，电子恰好

（2014•湖南二模）如图所示，在平面直角坐标系xoy中的第一象限内存在磁感应强度大小为B、方向垂直于坐标平面向内的有界圆形匀强磁场区域（图中未画出）；在第二象限内存在沿x轴负方其他

v的电子，电子恰好能通过y轴

平行四边形ABCD的内角C=60度,CD=2BC,沿对角线BD将平行四边形所在平面折成直二面角,求AC,BD所成角设O为平行四边形ABCD对角线交点沿对角线BD将平行四边形所在平面折成直二面角平面ADB与CBD相互数学

吗?

（2013•常德模拟）如图所示，在xOy平面的第I象限内存在沿y轴负方向的匀强电场，电场强度大小为E；第Ⅱ象限内有半径为R的圆分别与x轴、y轴相切于P、Q两点，圆内存在垂直于xOy平面向外的物理

电场，最后从M（3R，0）点

若计算机内存中有若干个内存单元，其地址编号从FFFH到OOOH,则这些内存单元共可存放的数据数量为？若计算机内存中有若干个内存单元，它们的地址编号从FFFH到OOOH,则这些内存单元工科存放其他

如图，在平面坐标系xoy内，第Ⅱ、Ⅲ象限内存在沿Y轴正方向的匀强电场，第1、Ⅳ象限内存在半径为L的圆形匀强磁场，磁场圆心在M（L，0）点，磁场方向垂直于坐标平面向外．一带正电粒子物理

从P（2L，0）点射出磁场．

内存条的生产日期竟然是2041年内存条1：内存大小:2048MB内存类型:DDR2-SDRAM制造商:金士顿制造日期:2010年第1周内存条2：内存大小:2048MB内存类型:DDR2-SDRAM制造商:MicronTech.制造日期其他

造日期: 2041年第16

如图所示，在坐标系xoy平面的第Ⅰ象限内存在垂直纸面向外的匀强磁场B1，在第Ⅳ象限内存在垂直纸面向里的另一个匀强磁场B2，在x轴上有一点Q（，0）、在y轴上有一点P（0，a）。现物理

入匀强磁场B 1 中，并以与

下面四种PC机使用的DRAM内存条中,速度最快的是:A.存储器总线时钟频率为100MHz的SDRAM内存条B.存

下面四种PC机使用的DRAM内存条中，速度最快的是：A．存储器总线时钟频率为100MHz的SDRAM内存条B．存储器总线时钟频率为133MHz的SDRAM内存条C．存储器总线时钟频率为100MHz的DDR SDRAM内存条D．存储器总线时钟频率为133MHz的DDR SDRAM内存条

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